兆易创新：自研DDR4内存上半年问世，采用19nm工艺    

2019年中合肥长鑫率先量产了自研的DDR4内存芯片，现在国产内存也越来越多，全球第一大NOR闪存供应商兆易创新日前透露，他们的DDR4内存今年上半年问世。

在投资者交流会上，有人问到了兆易创新自研的DDR内存情况，该公司回应称，自有品牌的内存将在这个季度问世，首发的产品是DDR4内存，19nm工艺。

不过这个内存应该不会出现在PC零售市场，主要是面向消费电子、IPTV等应用。

需要注意的是，虽然提问者问的是自研的DDR芯片，但兆易创新回应的是自有品牌内存，所以这个19nm的DDR4内存很有可能之前大单采购长鑫的DDR4芯片，兆易创新自己做的内存模组。

当然，兆易创新也在研发自己的内存芯片，2019年底就募资33亿用于内存研发，他们还公布了内存研发的路线图，如下所示：

2020年，兆易创新将启动首款DRAM芯片产品定义，包括市场定位、产品规格及芯片设计工艺。

2020年，兆易创新将定义首款芯片的生产职称，并将经过验证后的设计开展流片试样，反复修改直至通过系统验证。

2021年，对首款芯片试样进行封装测试，并送交系统芯片商进行功能认证，并最终通过客户验证。

2021年，首款芯片通过验证之后进行小批量生产，测试成功后进行大批量生产。

2022-2025年，进行新系列芯片研发及量产。