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10-23 14:26:29 0 0

今年5月,Cadence展示了首款DDR5内存验证模组,DRAM来自美光,接口层自研,采用台积电7nm工艺,数据率可达4400MT/s,也就是频率高达4400MHz。



DDR5内存主要提升在芯片容量,将超过16 Gb的单片芯片密度,当然还有更高的性能和更低的功耗。DDR5预计将带来4266至6400 MT / s的I / O速度,电源电压降至1.1 V,允许的波动范围为3%(即±0.033V)。每个模块使用两个独立的32/40位通道(不使用/或使用ECC)。此外,DDR5将具有改进的命令总线效率(因为通道将具有其自己的7位地址(添加)/命令(Cmd)总线),更好的刷新方案以及增加的存储体组以获得额外的性能。



展示会上Cadence就表示,与DDR4相比,改进的DDR5功能将使实际带宽提高36%,即使在3200 MT / s(此声明必须进行测试)和4800 MT / s速度开始,与DDR4-3200相比,实际带宽将高出87%。

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